檢索結果:共9筆資料 檢索策略: "SiC".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="洪儒生"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本研究使用裝載266nm脈衝雷射之時間解析光致發光光譜(time-resolved photoluminescence, TRPL)分析了在低注入條件下磊晶層厚度小於15μm的4H-SiC磊晶片中少…
2
3
本論文中針對三氯矽甲烷(MTS)為原料在氫氣氣氛下化學氣相沉積β相碳化矽薄膜的反應機制進行量化模型之探討。首先以一簡化的模型,即僅考慮MTS氣相解離生成一中間產物並貢獻長膜的逐次反應型式,對熱壁式水…
4
5
本論文使用兩個連續程序,在配備即場式X射線光電子能譜儀(XPS)和反射式高能電子衍射儀(RHEED)的超高真空化學氣相沉積(UHV-CVD)系統中,進行矽晶片(Si(111))的表面碳化和 SiC …
6
7
本研究乃以四甲基矽烷(TMS)、氨氣、氫氣為原料氣體的內熱式低壓化學氣相沈積系統,藉由碳化矽/氮化矽複合膜沉積於石墨基材上,作為石墨與碳化矽覆膜間的熱應力緩和傾斜層。利用在氫氣氣氛下控制原料TMS對…
8
本論文的主題分為四部分: (1)以SiH4、C2H2和H2為反應物的低壓化學氣相沉積系統探討Si(111)上碳化緩衝層表面的石墨化及其對成長3C-SiC(111)磊晶膜的影響之研究; (2)以SiH…
9
本研究針對碳化矽磊晶層中普遍存在的貫穿差排缺陷對功率元件漏電流的影響進行探討,透過對兩種常見的功率元件-蕭特基二極體(SBD)與金氧半場效電晶體(MOSFET)做為測試對象,以數量級超過數十至百顆的…